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                一家專注于原子層沉積系統設計,加工,工藝研發及技術咨詢的高科技公司,提供ALD,ALD鍍膜設備,納米涂層,納米三防,納米鍍膜,封裝涂層等材料,讓工業沒有難做的涂層!

                選擇性原子層沉積有哪些技術要點?

                文章出處:互聯網 責任編輯:東莞艾德新材料科技有限公司 發表時間:2022-04-27
                  
                  許多參與原子層沉積(ALD)的人都知道選擇性原子層沉積是當今的一個熱門話題。各種各樣的論文、研討會和博客文章層出不窮,詳細解釋了可以實現選擇性增長的各種新方法。從某種意義上講,選擇性ALD使用一種長期困擾ALD使用者的效應,即由于ALD的化學反應特性,薄膜生長的成核依賴于襯底表面。一般來說,ALD領域的人們一直在研究如何將這種影響最小化。例如,等離子體ALD通常具有可忽略的延遲,但對于選擇性ALD,成核延遲被放大。
                原子層沉積
                所以問題是,人們會選擇哪種ALD設備來研究選擇性ALD?我相信我們系統中的一些功能是有用的,例如:
                ◆可使用各種化學前體。氣箱可容納多種氣體,并通過MFC控制流量
                ◆可使用抑制劑分子(如前體注射過程中的NH3或CO)
                ◆使用氫基團作為抑制劑:在注入前體之前,使用氫等離子體(或其他等離子體)抑制特定表面的生長
                ◆氟化物等離子體:使用CFX或F作為抑制劑,在前體注入前,或在進行選擇性ALD生長時,即每隔幾個生長周期步驟在同一腔體中進行蝕刻(注意O2等離子體可以刻蝕Ru,H2等離子體可以刻蝕ZnO)。
                ◆注射自組裝單層膜(SAMS)抑制生長
                ◆多腔集成系統,如與電感耦合等離子體化學氣相沉積(ICP-CVD)室(生長非晶硅)、濺射(濺射)室或原子層蝕刻(ALE)室相結合
                ◆用于原始表面改性或蝕刻的基底偏壓
                設備可實現出色的控制效果包括:
                ◆通過MFC、快速ALD閥和快速自動壓力控制,可獲得精確可調的前驅體/氣體注入,實現一側成核,另一側不成核的現象。
                ◆采用預真空室和渦輪增壓分子泵保持系統的高真空,使抑制現象長期不受影響。
                ◆用等離子清洗腔體,恢復腔體氣氛。
                ◆具有實時診斷功能的生長監測設備:橢圓偏振測量、質譜和發射光譜
                基于選擇性ALD方法與蝕刻相結合,再一次讓我想起原子尺度處理的問題,這是我在之前的一篇博文中討論過的??梢韵胂?,通過結合選擇性ALD和其他工藝,可以生長出新的超材料(特殊材料)和獨特的結構。例如,通過在選擇性暴露的銅中生長石墨烯,或通過周期性地蝕刻同一沉積平面(例如,局部選擇性ALD),材料只能有效地生長在結構的側面。因此,無論是普通的等離子刻蝕機還是具有襯底偏壓特性的FlexAL,結合引導離子曝光都可能是一種優勢??偟膩碚f,我期待著令人驚訝的新發現、新結構和新材料能夠以可控的方式誕生。

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