許多參與
原子層沉積（ALD）的人都知道選擇性原子層沉積是當今的一個熱門話題。各種各樣的論文、研討會和博客文章層出不窮，詳細解釋了可以實現選擇性增長的各種新方法。從某種意義上講，選擇性ALD使用一種長期困擾ALD使用者的效應，即由于ALD的化學反應特性，薄膜生長的成核依賴于襯底表面。一般來說，ALD領域的人們一直在研究如何將這種影響最小化。例如，等離子體ALD通常具有可忽略的延遲，但對于選擇性ALD，成核延遲被放大。
所以問題是，人們會選擇哪種ALD設備來研究選擇性ALD？我相信我們系統中的一些功能是有用的，例如：
◆可使用各種化學前體。氣箱可容納多種氣體，并通過MFC控制流量
◆可使用抑制劑分子（如前體注射過程中的NH3或CO）
◆使用氫基團作為抑制劑：在注入前體之前，使用氫等離子體（或其他等離子體）抑制特定表面的生長
◆氟化物等離子體：使用CFX或F作為抑制劑，在前體注入前，或在進行選擇性ALD生長時，即每隔幾個生長周期步驟在同一腔體中進行蝕刻（注意O2等離子體可以刻蝕Ru，H2等離子體可以刻蝕ZnO）。
◆注射自組裝單層膜（SAMS）抑制生長
◆多腔集成系統，如與電感耦合等離子體化學氣相沉積（ICP-CVD）室（生長非晶硅）、濺射（濺射）室或原子層蝕刻（ALE）室相結合
◆用于原始表面改性或蝕刻的基底偏壓
設備可實現出色的控制效果包括：
◆通過MFC、快速ALD閥和快速自動壓力控制，可獲得精確可調的前驅體/氣體注入，實現一側成核，另一側不成核的現象。
◆采用預真空室和渦輪增壓分子泵保持系統的高真空，使抑制現象長期不受影響。
◆用等離子清洗腔體，恢復腔體氣氛。
◆具有實時診斷功能的生長監測設備：橢圓偏振測量、質譜和發射光譜
基于選擇性ALD方法與蝕刻相結合，再一次讓我想起原子尺度處理的問題，這是我在之前的一篇博文中討論過的?？梢韵胂?，通過結合選擇性ALD和其他工藝，可以生長出新的超材料（特殊材料）和獨特的結構。例如，通過在選擇性暴露的銅中生長石墨烯，或通過周期性地蝕刻同一沉積平面（例如，局部選擇性ALD），材料只能有效地生長在結構的側面。因此，無論是普通的等離子刻蝕機還是具有襯底偏壓特性的FlexAL，結合引導離子曝光都可能是一種優勢?？偟膩碚f，我期待著令人驚訝的新發現、新結構和新材料能夠以可控的方式誕生。
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